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口頭

Strain-induced reaction kinetics of O$$_{2}$$ molecule at SiO$$_{2}$$/Si interfaces studied by real-time X-ray photoelectron spectroscopy

Tang, J.*; 小川 修一*; 吉越 章隆; 石塚 眞治*; 高桑 雄二*

no journal, , 

界面酸化速度(Rint), 酸化状態(Si$$^{1+}$$, Si$$^{2+}$$, Si$$^{3+}$$, Si$$^{4+}$$), 酸化誘起歪(Si$$^{alpha}$$, Si$$^{beta}$$)の大きさを酸化中同時モニターするために、O$$_{2}$$圧力(PO$$_{2}$$)に依存したO$$_{2}$$SiO$$_{2}$$/Si界面でのO$$_{2}$$反応キネティクスをSPring-8のBL23SUにおいてリアルタイムX線光電子分光を使って調べた。表面酸化後、PO$$_{2}$$を増やすと非線形(Rintは(PO$$_{2}$$)$$^{n}$$)な振る舞いをした(ここでnはSi(111)およびSi(001)基板に対して概ね0.5)。結果は酸化誘起歪によって生成する欠陥がSiO$$_{2}$$/Si界面でのO$$_{2}$$の活性な解離吸着サイトであるという酸化モデルによって解釈できる。さらに、表面酸化中にPO$$_{2}$$を増やすとSi$$^{alpha}$$とSi$$^{beta}$$が界面参加開始時点で大きく変化することもわかった。

口頭

Synchrotron radiation photoemission study of oxides at Ge(100) surface after atmospheric exposure

吉越 章隆; 岡田 隆太*; 寺岡 有殿; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

no journal, , 

Geは将来のFETの代替え材料として注目されている。FETの性能向上に向けて、Ge結晶表面に形成される酸化物の原子レベルの理解が求められている。本発表では、Ge(100)2$$times$$1表面を待機に曝した後に形成される酸化物の放射光光電子分光分析結果を報告する。大気曝露が10時間を越えるSiO$$_{2}$$形成に対応するGe$$^{4+}$$酸化状態が高エネルギー分解能Ge3d光電子スペクトルに明瞭に観察された。さらに、3ヶ月後ではGe$$^{4+}$$成分の増加を観察した。これらの結果は、超高真空環境下での酸素曝露とはっきり異なる結果であり、酸素ガス圧あるいは待機中の水分の存在の影響を示唆するものである。

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